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7nm LPP EUV实际产品中EUV和ArFi的对比
1. 实际的光刻机简要系统
2. 7LPP是什么意思？
台积电的"7LPP"中"LPP"代表"Low Power Plus"，即"低功耗增强版"。7LPP是台积电7纳米工艺的一个变种，主要特点是在保持高性能的同时，进一步优化了功耗表现。
7LPP工艺通过改进晶体管设计和制程技术，实现了比前代7纳米工艺更低的功耗和更高的晶体管密度。具体来说，台积电的7LPP工艺相较于10纳米工艺，可以缩小多达40%的芯片面积，速度提高20%，并降低50%的功耗。这表明7LPP工艺在性能、功耗和面积(PPA)方面都有显著的提升。这使得7LPP工艺非常适合那些对能效有较高要求的应用，如智能手机、高性能计算等。
在7LPP之后，台积电又陆续推出了N7+、N5等更先进的工艺。
3. EUV光刻机和ArFi光刻机的区别
说明：而第五代叫做ArFi，前面三个字母相同，因为采用的也是193nm光源，但这种又与ArF不一样，之前所有的光刻机其介质采用的是空气，但到了ArFi时，采用的是水。I就是浸没式的意思，Immersion的缩写。光线在经过水时，会有折射，所以虽然ArFi光刻机采用193nm波长光源，等经水折射时，等效于134nm波长的光源，所以这种光刻机，叫做浸润式光刻机。
EUV（极紫外光刻）：EUV代表"Extreme Ultraviolet Lithography"，即极紫外光刻技术。它使用波长大约为13.5纳米的极紫外光进行芯片制造过程中的光刻过程。
由于EUV光的波长远远小于传统光刻技术使用的波长，EUV光刻技术能够实现更高的分辨率和更小的特征尺寸，这使得它非常适合用于制造7纳米及以下工艺节点的集成电路。EUV光刻技术是当前最尖端的光刻技术，它允许芯片制造商继续按照摩尔定律缩小晶体管尺寸，提高芯片的性能和能效。
ArFi（ArF浸没式光刻）：ArFi是"Argon Fluoride Immersion Lithography"的缩写，指的是使用ArF（氟化氩）激光源的浸没式光刻技术。ArFi光刻技术使用193纳米波长的光源，通过浸没式在光刻机镜头和硅片之间使用液体（通常是水）作为介质，来提高光的分辨率。
这种技术允许在45纳米及更大工艺节点的芯片制造中实现更高的精度。ArFi是DUV（深紫外线）光刻技术的一种，它是在EUV技术成熟之前，用于实现更高分辨率的一种过渡技术。
4. 掩膜版
"Single Patterning"（单次光刻）和"Multi-Patterning"（多重光刻）是两种不同的光刻图案化技术，它们用于在硅片上创建复杂的集成电路图案。
Single Patterning（单次光刻）：这是一种传统的光刻技术，其中整个电路图案可以通过一次光刻过程来完成。使用单个掩模版（mask），通过光刻机将图案一次性转移到光刻胶上。
单次光刻过程相对简单，成本较低，适用于较大的特征尺寸，例如90纳米或更大的工艺节点。
Multi-Patterning（多重光刻）：随着集成电路特征尺寸的不断缩小，单次光刻技术逐渐无法满足更高精度的要求，因此发展出了多重光刻技术。多重光刻技术需要多次光刻和刻蚀步骤来创建更小的特征尺寸。
例如，双重光刻（Double Patterning）会使用两次光刻和刻蚀过程，通过不同的掩模版来创建更小的线宽或间距。多重光刻技术可以进一步扩展为四重（Quad Patterning）或更多次数的光刻，以实现更高的集成度和更小的特征尺寸。
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